В предыдущем разделе мы подробно рассмотрели принципы работы и уникальные свойства металлических проводников со знакопеременной контактной разностью потенциалов, демонстрирующих способность к генерации энергии и сенсингу на основе динамических контактных явлений. Развивая эту концепцию, гибридные системы с функциональной контактной активностью представляют собой следующий шаг в эволюции ФКА-материалов. Они расширяют диапазон используемых интерфейсов, включая контакты "полупроводник – металл" и "полупроводник – полупроводник", что открывает новые возможности для управления энергетическими и сенсорными характеристиками, а также для интеграции в более сложные электронные архитектуры "Полупроводник – Металл" и "Полупроводник – Полупроводник" .
Направление "Полупроводник – Металл" фокусируется на использовании интерфейсов между полупроводниками и различными металлами для создания активных систем, способных генерировать электрическую энергию и проявлять сенсорные свойства в условиях, ранее считавшихся статическими.
Рассмотрим альтернативу последовательному соединению КРП – гексагональную топологию гибридной системы с узловыми точками КРП.
Узловые точки в гексагональной топологии функционируют как критические интерфейсы, формируя контактные разности потенциалов между тремя различными материалами. Эти точки обеспечивают множественное сопряжение, генерируя контактные потенциалы одновременно для нескольких соседних контуров (например, для шести), что является основой для функциональной активности системы.
Рис. № 3. Гексагональная топология направления "полупроводник – металл"
Традиционная физика утверждает, что в условиях термодинамического равновесия сумма контактных разностей потенциалов в замкнутой цепи равна нулю (закон Вольта), и они не могут служить источником энергии. Однако, как показывает практика, материалы с функциональной контактной активностью способны обходить эти ограничения, создавая временные токовые асимметрии и генерируя устойчивую ЭДС. В полупроводниках это достигается не только за счет микроразниц температур или градиентов, но и благодаря уникальной способности их объемного заряда взаимодействовать с внешними полями.
Ключевая роль в полупроводниках с функциональной контактной активностью отводится:
1. Барьерной и диффузионной емкостям p-n перехода.
2. Переход – металл-полупроводник.
Рассмотрим эти направления подробно.
1. Барьерная и диффузионная емкости p-n перехода.
Направление "Полупроводник – Полупроводник" предполагает создание активных систем, где основными функциональными элементами являются непосредственные контакты между различными полупроводниковыми материалами, интегрированными в аналогичную гексагональную топологию.
Барьерная и диффузионная емкости p-n перехода способны накапливать электрический заряд из окружающей среды, например, от электрического поля Земли, не на обкладках, как это происходит в классическом конденсаторе, а непосредственно в объеме p-n перехода.
Воздействие внешних электрических и/или магнитных полей приводит к изменению работы выхода полупроводников и металлов на контактных границах. Это, в свою очередь, формирует динамическую, временную асимметрию в распределении зарядов и потенциалов внутри системы. Такая асимметрия позволяет создавать направленное движение электрических зарядов и генерировать ЭДС, даже когда система находится в условиях кажущегося термодинамического равновесия, без необходимости внешнего температурного градиента, как у элементов Пельтье. Таким образом, энергия извлекается из флуктуаций или постоянного внешнего поля, которое переводит систему в неравновесное состояние на микроуровне, поддерживая макроскопический ток.